SanDisk Extreme Pro M.2 NVMe 3DSSD2TBが利用可能になりました[PartitionMagic]

概要 :

SanDisk Extreme Pro M.2 NVMe 3D SSD

WesternDigitalがSanDiskExtremePro M.2 NVMe 3D SSDラインを静かに2TBに拡張したことをご存知ですか?この投稿では、これを紹介します。





クイックナビゲーション:

SanDiskがExtremeProM.2 NVMe3DSSDラインを2TBに拡張

今年の初め、WesternDigitalはWDBlackSN750とSanDiskExtreme Pro M.2 NVMe3DSSDを発表しました。どちらのファミリも、自社開発のコントローラと64層の3DTLCNANDメモリに基づいています。さらに、同じコンポーネント、同じレベルのパフォーマンス、および同様のダッシュボードソフトウェアを備えています。

ただし、2つのファミリには異なる製品モデルが含まれています。 WD BlackSN750ラインには250GB、500 GB、1 TB、および2 TBモデルが含まれますが、SanDisk Extreme ProM.2NVMeラインには500GBおよび1TBモデルのみが含まれます。

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WesternDigitalが2TBモデルをSanDiskExtremePro M.2 NVMeラインに追加しないことを決定した理由の1つは、ブランドの位置付けです。ご存知のとおり、SanDiskブランドは主に小売ユーザーを対象としています。

ただし、WesternDigitalは静かにSanDiskExtreme Pro M.2 NVMe 3DSSDラインを2TBに拡張し、オーストリア、ドイツ、および日本でSanDisk Extreme Pro M.2 NVMe2TBSSDを発売しました。オーストリアとドイツでのドライブの価格は、466ユーロから570ユーロの範囲です。日本の価格については、まだ不明です。

SanDisk Extreme Pro M.2 NVMe 3DSSD2TBモデル



パフォーマンス

ただし、今回の発売は、SanDiskブランドが依然としてエンドユーザーの間で非常に人気があり、2TBの容量が人気を集めていることを示しています。 SanDisk Extreme Pro M.2 NVMe 3D SSDが非常に人気がある理由は、その優れたパフォーマンスにある可能性があります。

SanDisk Extreme Pro M.2 NVMe 2 TB SSDは、最大3400 MB / sのシーケンシャル読み取り速度、最大2900 MB / sのシーケンシャル書き込み速度、最大480Kのランダム読み取りIOPS、および最大480Kのランダム書き込みIOPSを提供します。 550K。クリック ディスクパフォ​​ーマンスを簡単に測定する方法 これらの値についての説明を取得します。

コントローラ

自社開発のコントローラーと64層3DTLCNANDメモリのおかげで、非常に優れたパフォーマンスを発揮します。



Western Digitalは、このコントローラーに関するすべての情報を完全に開くわけではありません。このコントローラーは28nmプロセスを使用し、内部に3つのプロセッサーコアを備え、ハードウェアアクセラレーションを使用してデータをコントローラーに通過させ、フラッシュメモリに直接到達させることで、処理の遅延と消費電力を削減します。

同時に、バックエンドフラッシュメモリは8チャネルの組み合わせモードをサポートし、FTLフォームの配置またはキャッシュに使用される追加のメモリを必要とします。このコントローラーには、互換性、パフォーマンス、およびコストの面で利点があります。

64層3DTLCNANDメモリ

では、64層3D TLC NANDメモリとは何ですか? NANDフラッシュメモリは、主にGBUSBフラッシュドライブやソリッドステートドライブなどの大容量記憶装置で使用されます。



2D平面フラッシュメモリ技術の進歩により、平面構造のNANDフラッシュメモリは、15nmのレベルに達した後、実際の拡張限界に近づいています。

NANDフラッシュメモリがさらに進むと、いくつかの問題が発生する可能性があります。たとえば、各フラッシュストレージユニットが保存する電子はますます少なくなります。耐摩耗性の冗長電子部品の数が減少し、フラッシュメモリの耐久性に深刻な影響を及ぼします。さらに、ユニット間の干渉も増加し、容量結合干渉は25%に達しました。

このような状況で、3DNAND技術が出てきます。 3D NANDテクノロジーは、データストレージユニットの複数のレイヤーを垂直にスタックします。このテクノロジーは、同等のNANDテクノロジーによって作成されたストレージデバイスの最大3倍の容量を持つことができるストレージデバイスを作成できます。このテクノロジーにより、より小さなスペースでより高いストレージ容量が可能になり、大幅なコスト削減、消費電力の削減、およびパフォーマンスの大幅な向上が実現します。

3D NANDテクノロジーは、24層、32層、48層、および最大64層から発展します。 48層の3DNANDテクノロジーと比較して、WesternDigitalの64層の3DNANDテクノロジーは、ユニット容量を40%増やすことができます。これにより、ビットあたりのコストを削減し、各ウェーハの出力を増やすことができます。また、電界干渉を低減し、より安定した信頼性を提供します。

メモリセルのサイズを小さくするために、メーカーはすべての単一のメモリセルに格納できるビット数を増やすことも計画しています。したがって、MLC(マルチレベルセル)、TLC(トリプルレベルセル)、およびQLC(クワッドレベルセル)が出てきます。

TLCの利点は何ですか?たとえば、通常のフラッシュメモリ(SLCで作成)の容量は128GBです。次に、MLCは256 GBの容量にし、TLCは384GBの容量にします。

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一言で言えば、SanDisk Extreme Pro M.2 NVMe 3DSSD2TBは優れたSSDです。そして今、それは利用可能です。